▍愛仕特與瑞福芯科技簽訂碳化硅合作協(xié)議

近日，深圳愛仕特科技有限公司（以下簡稱“愛仕特”）與安徽瑞福芯科技有限公司（以下簡稱“瑞福芯科技”）簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議?；陔p方簽署的戰(zhàn)略合作協(xié)議，在未來數(shù)年內(nèi)瑞福芯科技生產(chǎn)的SiC MOS模塊將全部采用愛仕特的SiC MOS芯片，愛仕特將為瑞福芯科技批量供應車用功率模塊所需的1200V/17毫歐及1700V/17毫歐的SiC MOS芯片，并協(xié)助瑞福芯科技建設模塊工廠，保證其后續(xù)的量產(chǎn)需求。目前愛仕特的1200V/800A DCM模塊已交付瑞福芯科技，在西南某新能源車廠定點測試，預計今年開始批量裝車。據(jù)悉，福瑞芯科技由上市公司南京商絡投資，一期建立預計年產(chǎn)30萬只的模塊工廠，主要產(chǎn)品為車用SiC MOS功率模塊。

▍蓋澤半導體首臺國產(chǎn)SiC外延膜厚測量設備順利交付

目前，華矽蓋澤半導體科技（上海）有限公司（簡稱“蓋澤半導體”）自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測量設備GS-M06Y已正式交付客戶。GS-M06Y將應用于半導體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進行測量。GS-M06Y設備采用了蓋澤半導體自主研發(fā)的高精算法、Load Port、控制軟件以及FTIR光路系統(tǒng)。公司自主研發(fā)的FTIR光路系統(tǒng)，可快速檢測晶圓厚度，實現(xiàn)了掃描速度快、分辨率高、靈敏度高等需求。

據(jù)悉，此次出貨的設備與以往不同，此臺設備運用蓋澤半導體最新研發(fā)的碳化硅外延檢測技術(shù)，可對碳化硅外延精準測量，是繼蓋澤半導體9月硅外延檢測設備出貨后，公司的又一里程碑。蓋澤半導體不僅突破了SiC外延檢測技術(shù)，還可實現(xiàn)一代半導體（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半導體（砷化鎵、磷化銦襯底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半導體（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化鎵外延）、SOI片頂層硅6英寸&8英寸&12英寸，以及鍺硅外延制程工藝中不同的外延層厚度測量。

▍宇環(huán)數(shù)控：碳化硅設備部分環(huán)節(jié)已有樣機、現(xiàn)處于技術(shù)指標驗證階段

近日，宇環(huán)數(shù)控在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，公司碳化硅設備可參與到碳化硅材料加工的晶錠端面磨削，晶錠外圓磨削、磨參考邊，晶圓片雙面減薄、拋光等工序，部分環(huán)節(jié)已有樣機、現(xiàn)處于技術(shù)指標驗證階段；部分環(huán)節(jié)的設備仍在研發(fā)中。公司碳化硅設備尚未取得客戶訂單，公司技術(shù)研發(fā)進展和客戶驗證結(jié)果均存在較大不確定性。

來源：吳晰 芯TIP